高k和CVD ALD金属前驱体发展概况:2024年全球市场规模为5.88亿美元

2024年,全球高k和CVD ALD金属前驱体市场规模为5.88亿美元,预计在2024-2029年预测期内该市场将以6.3%的复合年增长率增长。

全球高k和CVD ALD金属前驱体细分市场占比分析

全球高k和CVD ALD金属前驱体细分市场占比分析

资料来源:贝哲斯咨询

市场驱动因素分析

各种工业应用对薄膜材料的高需求以及铑、铱、钯和铂等贵金属原子层沉积技术的出现,是推动全球高k和CVD ALD金属前驱体行业需求的关键因素。

半导体设备的出现促进了对热预算低、厚度控制精度高、三维(3D)结构一致性更好的薄膜沉积的需求,带动了高k和CVD ALD金属前驱体市场发展。

半导体和微电子设备在汽车、航空航天、工业和消费品等各个垂直市场的渗透率不断提高,也是推动高k和CVD ALD金属前驱体行业增长的主要驱动因素。

半导体和电子设备的微型化趋势以及对提高性能的日益增长的需求也在一定程度上推动了高k和CVD ALD金属前驱体市场发展。

此外,沉积技术的进步、对更快沉积速度需求的增长以及高k和CVD ALD技术商业化程度的提高也是推动高k和CVD ALD金属前驱体行业需求增长的关键因素。

市场细分

全球高k和CVD ALD金属前驱体市场细分

按技术

互联

电容器

栅极

按最终用途

消费电子

汽车

航空航天与国防

IT和电信

工业

医疗保健

其他

在用于生产电极和互连器件的材料前驱体的推动下,2024年,互连器件领域在高k和CVD ALD金属前驱体行业中占据领先地位。互连器件的制造通常由铜完成,铜是一种重要的导电金属,尤其是在微电子领域。生产纯净、无缺陷和导电金属膜的需求不断增长,这些金属膜与气相前驱体通过化学反应在表面沉积铜的原子水平相匹配。

预测期内,栅极预计将成为高k和CVD ALD金属前驱体行业增长最快的领域。在微电子市场,微电子设备中的晶体管栅极堆栈已明显转向使用高k电介质。电子设备不断缩小的趋势推动了高k栅极氧化物的发展,同时在沉积高k电介质时使用了薄膜技术。

受智能手机、平板电脑、个人电脑和笔记本电脑中微电子应用不断增加的推动,2024年,消费电子领域在高k和CVD ALD金属前驱体市场中占据主导地位。此外,随着远程办公、在线会议的日益增多,智能手机和笔记本电脑的使用率也随之激增。

区域市场分析

2024年,亚太地区占最大份额,同时也是高介电系数和CVD ALD金属前驱体市场增长最快的地区,主要是电子产品的快速增长推动了对高介电系数和CVD ALD金属前驱体的需求。

竞争洞察

全球高k和CVD ALD金属前驱体行业主要企业有ADEKA公司、液化空气公司、空气产品公司、Colnatec LLC、陶氏化学公司、杜邦公司、Entegris公司、JSR公司、林德集团、默克集团、Nanmat Technology公司、Praxair公司、SAFC Hitech公司、三星电子公司、Strem化学公司、Tri化学实验室和UP化学公司。